電源適配器整體布局及走線原則

2、 走線的寬度主要由導線與絕緣基板間的粘附強度和流過它們的電流值決定。當銅箔厚度為50μm，寬度為1mm時，流過1A的電流，溫升不會高于3℃，以此推算2盎司（70μm）厚的銅箔，1mm寬可流通1.5A電流，溫升不會高于3℃（注：自然冷卻）。

3、 輸入控制回路部分和輸出電流及控制部分（即走小電流走線之間和輸出走線之間各自的距離）電氣間隙寬度為：0.75mm--1.0mm(Min0.3mm)。原因是銅箔與焊盤如果太近易造成短路，也易造成電性干擾的不良反應。
4、 ROUTE線拐彎處一般取圓弧形，而直角、銳角在高頻電路中會影響電氣性能。
5、 電源線根據線路電流的大小，盡量加粗電源線寬度，減少環路阻抗，同時使電源線，地線的走向和數據傳遞方向一致，縮小包圍面積，有助于增強抗噪聲能力。
A：散熱器接地多數也采用單點接地，提高噪聲抑制能力如下圖：

更改前：多點接地形成磁場回路，EMI測試不合格。

更改后：單點接地無磁場回路，EMI測試OK。
7、濾波電容走線
A：噪音、紋波經過濾波電容被完全濾掉。

B：當紋波電流太大時，多個電容并聯，紋波電流經過第一個電容當紋波電流太大時，多個電容并聯，紋波電流經過第一個電容產生的熱量也比第二個、第三個多，很容易損壞，走線時，盡量讓紋波電流均分給每個電容，走線如下圖A、B如空間許可，也可用圖B方式走線

8、 高壓高頻電解電容的引腳有一個鉚釘，如下圖所示，它應與頂層走線銅箔保持距離，并要符合安規。

9、 弱信號走線，不要在電感、電流環等器件下走線。

電流取樣線在批量生產時發生磁芯與線路銅箔相碰，造成故障。充電器廠家
10、 金屬膜電阻下不能走高壓線、低壓線盡量走在電阻中間，電阻如果破皮容易和下面銅線短路。
11、 加錫
A：  功率線銅箔較窄處加錫。
B：RC吸收回路，不但電流較大需加錫，而且利于散熱。
C：熱元件下加錫，用于散熱，加錫不能壓焊盤。
12、 信號線不能從變壓器、散熱片、MOS管腳中穿過。
13、 如輸出是疊加的，差模電感前電容接前端地，差模電感后電容接輸出地。

14、 高頻脈沖電流流徑的區域

A：盡量縮小由高頻脈沖電流包圍的面積上圖所標示的5個環路包圍的面積盡量小。
B:  電源線、地線盡量靠近，以減小所包圍的面積，從而減小外界磁場環路切割產生的電磁干擾，同時減少環路對外的電磁輻射。
C:  大電容盡量離MOS管近，輸出RC吸收回路離整流管盡量近。
D:  電源線、地線的布線盡量加粗縮短，以減小環路電阻，轉角要圓滑，線寬不要突變如下圖 。

E：脈沖電流流過的區域遠離輸入輸出端子，使噪聲源和出口分離。

F：振蕩 濾波去耦電容靠近IC地，地線要求短。

14： 錳銅絲 立式變壓器磁芯 工字電感 功率電阻 散熱片 磁環下不能走第一層線。
15： 開槽與走線銅箔要有10MIL以上的距離，注意上下層金屬部分的安規。

16、 驅動變壓器，電感，電流環同名端要一致。
17、 雙面板一般在大電流走線處多加一些過孔，過孔要加錫，增加載流能力。
18、 在單面板中，跳線與其它元件不能相碰，如跳線接高壓元件，則應與低壓元件保持一定安規距離。同時應與散熱片要保持1mm以上的距離。
四、案例分析
12V電源適配器的體積越來越小，它的工作頻率也越來越高，內部器件的密集度也越來高，這對PCB布線的抗干擾要求也越來越嚴，針對一些案例的布線，發現的問題與解決方法如下：
1、整體布局：
案例1是一款六層板，較先布局是，元件面放控制部份，焊錫面放功率部份，在 調試時發現干擾很大，原因是PWM  IC 與光耦位置擺放不合理，如：

如 上 圖 ， PWM  IC 與 光 耦 放 在 MOS 管 底 下 ， 它們之間只有一層2.0mm的PCB隔開，MOS管直接干擾PWM  IC，后改進為

將PWM IC與光耦移開，且其上方無流過脈動成份的器件。
2、走線問題：
功率走線盡量實現較短化，以減少環路所包圍的面積，避免干擾。小信號線包圍面積小，如電流環：

A線與B線所包面積越大，它所接收的干擾越多。因為它是反饋電A線與B線所包面積越大，它所接收的干擾越多。因為它是反饋電耦反饋線要短，且不能有脈動信號與其交叉或平行。

PWM  IC 芯片電流采樣線與驅動線，以及同步信號線，走線時應盡量遠離，不能平行走線，否則相互干擾。因：電流波形為：

PWM IC 驅動波形及同步信號電壓波形是：

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